> Produkter > Silikonkarbidbelagd > Barrel Susceptor > Slitstark SiC-belagd fatsusceptor för LPE

Produkter

Nya produkter

Slitstark SiC-belagd fatsusceptor för LPE

Med sin utmärkta densitet och värmeledningsförmåga är Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor för LPE det idealiska valet för användning i LPE-processer och andra halvledartillverkningstillämpningar. Dess högrena SiC-beläggning ger överlägset skydd och värmefördelningsegenskaper, vilket gör den till det bästa valet för pålitliga och konsekventa resultat.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

Om du behöver en högkvalitativ grafitsusceptor med överlägsen värme- och korrosionsbeständighet, behöver du inte leta längre än Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor för LPE. Dess kiselkarbidbeläggning ger exceptionell värmeledningsförmåga och värmefördelning, vilket säkerställer pålitlig och konsekvent prestanda även i de mest krävande högtemperaturmiljöer.

Vår hållbara SiC-belagda fatsusceptor för LPE är designad för att uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret, vilket säkerställer en jämn termisk profil. Detta hjälper till att förhindra kontaminering eller spridning av föroreningar, vilket säkerställer högkvalitativ epitaxiell tillväxt på waferchipset.

Kontakta oss idag för att lära dig mer om vår hållbara SiC-belagda fatsusceptor för LPE.

Parametrar för hållbar SiC-belagd fatsusceptor för LPE

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning
SiC-CVD-egenskaper
Kristallstruktur	FCC Î² fas
Densitet	g/cm³	3.21
Hårdhet	Vickers hårdhet	2500
Kornstorlek	Î¼m	2~10
Kemisk renhet	%	99.99995
Värmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrka	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt böj, 1300â)	430
Termisk expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Värmeledningsförmåga	(W/mK)	300

Egenskaper hos slitstark SiC-belagd fatsusceptor för LPE

- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har god densitet och kan spela en bra skyddande roll i högtemperatur- och korrosiva arbetsmiljöer.

- Kiselkarbidbelagd susceptor som används för enkristalltillväxt har en mycket hög ytplanhet.

- Minska skillnaden i termisk expansionskoefficient mellan grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet, förbättra bindningsstyrkan effektivt för att förhindra sprickbildning och delaminering.

- Både grafitsubstratet och kiselkarbidskiktet har en hög värmeledningsförmåga och utmärkta värmefördelningsegenskaper.

- Hög smältpunkt, hög temperatur oxidationsbeständighet, korrosionsbeständighet.