SiC-belagd grafitbricka

Som den primära komponenten i epitaxiell utrustning ärSiC-belagd grafitbrickadirekt påverkar produktionseffektiviteten, enhetligheten och defekthastigheten för det epitaxiella skiktets tillväxt.    

Genom grafitrening, precisionsbearbetning och rengöringsbehandling kan ytan på grafitsubstratet uppnå utmärkt planhet och jämnhet, vilket framgångsrikt undviker risken för partikelkontamination. Genom kemisk ångavsättning genomgår ytan på grafitsubstratet en kemisk reaktion med den reaktiva gasen, vilket genererar en tät, porfri och jämnt tjock kiselkarbid (SiC) beläggning. Från substratberedning till beläggningsbehandling utförs hela produktionsprocessen i ett klass 100 renrum, som uppfyller renhetsstandarder lämpliga för halvledare.

SiC-belagd grafitbricka som är gjord av hög renhet med låg förorening av grafit och SiC-material, har utmärkt värmeledningsförmåga och låg värmeutvidgningskoefficient. Det gör det inte bara möjligt för den SiC-belagda grafitbrickan att överföra värme snabbt och jämnt för att förbättra tillväxtkvaliteten för det epitaxiella lagret, utan minskar också effektivt risken för att beläggningen tappar eller spricker på grund av termisk stress. Dessutom är den enhetliga och täta SiC-beläggningen resistent mot höga temperaturer, oxidation och korrosion, vilket säkerställer stabil drift under lång tid under höga temperaturer och korrosiva gasförhållanden.

SiC-belagd grafitbricka har högre kompatibilitet med utrustning för metall-organisk kemisk ångavsättning (MOCVD). Den har noggrant dimensionerats och designats för att anpassa sig till olika processparametrar och utrustningskrav. Semicorex insisterar alltid på att erbjuda professionella skräddarsydda tjänster till våra värdefulla kunder för att exakt möta deras krav på olika storlekar, beläggningstjocklekar och ytråhet hos den SiC-belagda grafitbrickan.