SiC-belagd MOCVD-susceptor

Semicorex är en ledande tillverkare och leverantör av SiC Coated MOCVD Susceptor. Vår produkt är speciellt designad för halvledarindustrier för att odla det epitaxiella lagret på waferchipset. Den högrena kiselkarbidbelagda grafitbäraren används som mittplatta i MOCVD, med en kugghjuls- eller ringformad design. Vår susceptor används ofta i MOCVD-utrustning, vilket säkerställer hög värme- och korrosionsbeständighet och stor stabilitet i extrema miljöer.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

En av de viktigaste egenskaperna hos vår SiC-belagda MOCVD-susceptor är att den säkerställer beläggning på alla ytor och undviker att den lossnar. Produkten har hög temperatur oxidationsbeständighet, som är stabil vid höga temperaturer upp till 1600°C. Den höga renheten uppnås genom att använda CVD kemisk ångavsättning under högtemperaturkloreringsförhållanden. Produkten har en tät yta med fina partiklar, vilket gör den mycket motståndskraftig mot korrosion från syra, alkali, salt och organiska reagenser.
Vår SiC-belagda MOCVD-susceptor säkerställer det bästa laminära gasflödesmönstret, vilket garanterar en jämn termisk profil. Detta hjälper till att förhindra kontaminering eller spridning av föroreningar, vilket säkerställer högkvalitativ epitaxiell tillväxt på waferchipset. Semicorex erbjuder en konkurrenskraftig prisfördel och täcker många av de europeiska och amerikanska marknaderna. Vårt team är dedikerade till att ge utmärkt kundservice och support. Vi är fast beslutna att bli din långsiktiga partner och tillhandahålla högkvalitativa och pålitliga produkter för att hjälpa ditt företag att växa.

Parametrar för SiC-belagd MOCVD-susceptor

Huvudspecifikationer för CVD-SIC-beläggning
SiC-CVD-egenskaper
Kristallstruktur	FCC Î² fas
Densitet	g/cm³	3.21
Hårdhet	Vickers hårdhet	2500
Kornstorlek	Î¼m	2~10
Kemisk renhet	%	99.99995
Värmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Felexural styrka	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt böj, 1300â)	430
Termisk expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Värmeledningsförmåga	(W/mK)	300

Funktioner hos SiC-belagd MOCVD-susceptor

- Undvik att skala av och säkerställ beläggning på alla ytor
Oxidationsbeständighet vid hög temperatur: Stabil vid höga temperaturer upp till 1600°C
Hög renhet: tillverkad av CVD kemisk ångavsättning under högtemperaturkloreringsförhållanden.
Korrosionsbeständighet: hög hårdhet, tät yta och fina partiklar.
Korrosionsbeständighet: syra, alkali, salt och organiska reagenser.
- Uppnå det bästa laminära gasflödesmönstret
- Garanterar jämnhet av termisk profil
- Förhindra all kontaminering eller spridning av föroreningar