SiC-beläggning är ett tunt lager på susceptorn genom den kemiska ångavsättningsprocessen (CVD). Kiselkarbidmaterial ger ett antal fördelar jämfört med kisel, inklusive 10x den elektriska fältstyrkan, 3x bandgapet, vilket ger materialet hög temperatur- och kemikaliebeständighet, utmärkt slitstyrka samt värmeledningsförmåga.
Semicorex tillhandahåller skräddarsydd service, hjälper dig att förnya dig med komponenter som håller längre, minskar cykeltiderna och förbättrar avkastningen.
SiC-beläggning har flera unika fördelar
Hög temperaturbeständighet: CVD SiC-belagd susceptor kan motstå höga temperaturer upp till 1600°C utan att genomgå betydande termisk nedbrytning.
Kemisk beständighet: Kiselkarbidbeläggningen ger utmärkt motståndskraft mot ett brett spektrum av kemikalier, inklusive syror, alkalier och organiska lösningsmedel.
Slitstyrka: SiC-beläggningen ger materialet utmärkt slitstyrka, vilket gör det lämpligt för applikationer som involverar högt slitage.
Värmeledningsförmåga: CVD SiC-beläggningen ger materialet hög värmeledningsförmåga, vilket gör det lämpligt för användning i högtemperaturapplikationer som kräver effektiv värmeöverföring.
Hög hållfasthet och styvhet: Den kiselkarbidbelagda susceptorn ger materialet hög styrka och styvhet, vilket gör det lämpligt för applikationer som kräver hög mekanisk hållfasthet.
SiC-beläggning används i olika applikationer
LED-tillverkning: CVD SiC-belagd susceptor används vid tillverkning av olika LED-typer, inklusive blå och grön LED, UV LED och djup-UV LED, på grund av dess höga värmeledningsförmåga och kemiska motstånd.
Mobil kommunikation: CVD SiC-belagd susceptor är en avgörande del av HEMT för att slutföra den epitaxiella GaN-on-SiC-processen.
Halvledarbearbetning: CVD SiC-belagd susceptor används i halvledarindustrin för olika applikationer, inklusive waferbearbetning och epitaxiell tillväxt.
SiC-belagda grafitkomponenter
Tillverkad av Silicon Carbide Coating (SiC) grafit, appliceras beläggningen med en CVD-metod på specifika kvaliteter av högdensitetsgrafit, så att den kan arbeta i högtemperaturugnen med över 3000 °C i en inert atmosfär, 2200 °C i vakuum .
Materialets speciella egenskaper och låga massa möjliggör snabba uppvärmningshastigheter, jämn temperaturfördelning och enastående precision vid kontroll.
Materialdata för Semicorex SiC Coating
Typiska egenskaper |
Enheter |
Värderingar |
Strukturera |
|
FCC β-fas |
Orientering |
Bråkdel (%) |
111 föredras |
Bulkdensitet |
g/cm³ |
3.21 |
Hårdhet |
Vickers hårdhet |
2500 |
Värmekapacitet |
J kg-1 K-1 |
640 |
Termisk expansion 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Youngs modul |
Gpa (4pt böj, 1300 ℃) |
430 |
Kornstorlek |
μm |
2~10 |
Sublimeringstemperatur |
℃ |
2700 |
Felexural styrka |
MPa (RT 4-punkts) |
415 |
Värmeledningsförmåga |
(W/mK) |
300 |
Slutsats CVD SiC-belagd susceptor är ett kompositmaterial som kombinerar egenskaperna hos en susceptor och kiselkarbid. Detta material har unika egenskaper, inklusive hög temperatur- och kemikaliebeständighet, utmärkt slitstyrka, hög värmeledningsförmåga och hög hållfasthet och styvhet. Dessa egenskaper gör det till ett attraktivt material för olika högtemperaturapplikationer, inklusive halvledarbearbetning, kemisk bearbetning, värmebehandling, solcellstillverkning och LED-tillverkning.
Om du behöver en grafitsusceptor med exceptionell värmeledningsförmåga och värmefördelningsegenskaper, behöver du inte leta längre än Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System. Dess högrena SiC-beläggning ger överlägset skydd i hög temperatur och korrosiva miljöer, vilket gör den till det idealiska valet för användning i halvledartillverkningstillämpningar.
Läs merSkicka förfråganMed sin exceptionella värmeledningsförmåga och värmefördelningsegenskaper är Semicorex Barrel Structure for Semiconductor Epitaxial Reactor det perfekta valet för användning i LPE-processer och andra halvledartillverkningstillämpningar. Dess SiC-beläggning med hög renhet ger överlägset skydd i hög temperatur och korrosiva miljöer.
Läs merSkicka förfråganOm du letar efter en högpresterande grafitsusceptor för användning i halvledartillverkning, är Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor det perfekta valet. Dess exceptionella värmeledningsförmåga och värmefördelningsegenskaper gör den till det bästa valet för tillförlitlig och konsekvent prestanda i hög temperatur och korrosiva miljöer.
Läs merSkicka förfråganMed sin höga smältpunkt, oxidationsbeständighet och korrosionsbeständighet är Semicorex SiC-belagda Crystal Growth Susceptor det idealiska valet för användning i enkristalltillväxtapplikationer. Dess kiselkarbidbeläggning ger utmärkta egenskaper för planhet och värmefördelning, vilket gör den till ett idealiskt val för miljöer med hög temperatur.
Läs merSkicka förfråganOm du behöver en grafitsusceptor som kan prestera tillförlitligt och konsekvent även i de mest krävande högtemperatur- och korrosiva miljöerna, är Semicorex Barrel Susceptor for Liquid Phase Epitaxy det perfekta valet. Dess kiselkarbidbeläggning ger utmärkt värmeledningsförmåga och värmefördelning, vilket säkerställer exceptionell prestanda i halvledartillverkningstillämpningar.
Läs merSkicka förfråganSemicorex Silicon Carbide-Coated Graphite Barrel är det perfekta valet för halvledartillverkning som kräver hög värme- och korrosionsbeständighet. Dess exceptionella värmeledningsförmåga och värmefördelningsegenskaper gör den idealisk för användning i LPE-processer och andra högtemperaturmiljöer.
Läs merSkicka förfrågan